Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Теплопроводность твердых растворов Cu$_{2}$ZnGe$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{4}$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Аннотация: Методом Бриджмена (вертикальный вариант) выращены кристаллы соединений Cu$_{2}$ZnGeSe$_{4}$, Cu$_{2}$ZnSnSe$_{4}$ и твердых растворов Cu$_{2}$ZnGe$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{4}$, определен состав и структура полученных кристаллов. Установлено, что как исходные соединения, так и твердые растворы на их основе кристаллизуются в тетрагональной структуре. Рассчитаны параметры элементарной ячейки $a$ и $c$ указанных кристаллов и построены их концентрационные зависимости. Показано, что изменение параметров $a$ и $c$ с составом $x$ осуществляется в соответствии с законом Вегарда. В интервале температур 300–600 K измерена теплопроводность соединений Cu$_{2}$ZnGeSe$_{4}$, Cu$_{2}$ZnSnSe$_{4}$ и твердых растворов Cu$_{2}$ZnGe$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{4}$. Установлено, что теплопроводность с составом х изменяется с минимумом для среднего состава.

Ключевые слова: кристаллы, метод Бриджмена, твердые растворы, закон Вегарда, структура, теплопроводность.

Поступила в редакцию: 24.09.2019
Исправленный вариант: 30.09.2019
Принята в печать: 30.09.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48888.9265

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:2, 159–162

Реферативные базы данных:

•