Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей

В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs метаморфных фотопреобразователей со встроенными $n$-InGaAs/InAlAs брэгговскими отражателями с содержанием индия (In) $x$ = 0.025 – 0.24. Проведены измерения последовательного сопротивления гетероструктур в диапазоне от 90 до 400 K. Установлено, что резкое увеличение сопротивления легированных кремнием отражателей с ростом доли индия вызвано слабой активацией донорной примеси в слоях InAlAs-$n$:Si. Вследствие этого в последних образуются энергетические барьеры для основных носителей заряда высотой 0.32 – 0.36 эВ, которые имеют значительную ширину. Для подавления обнаруженного эффекта разработана технология легирования $n$-InGaAs/InAlAs брэгговских отражателей теллуром (Te), которая позволила снизить последовательное сопротивление на 5 порядков. Это позволило сохранить фактор заполнения вольт-амперной характеристики на уровне выше 80% вплоть до плотностей тока 2 А/см$^{2}$. Достигнутые при этом значения квантовой эффективности фотоответа фотопреобразователей выше 85% свидетельствуют о подавлении характерных для этого типа примеси эффектов “памяти” и сегрегации теллура.

Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, брэгговский отражатель, InGaAs, InAlAs, легирование, резистивные потери, гетерограница.

Поступила в редакцию: 27.11.2019
Исправленный вариант: 05.12.2019
Принята в печать: 05.12.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.04.49148.9321

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:4, 476–483

Реферативные базы данных:

•