Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Формирование наностержней GaN в монодисперсных сферических мезопористых частицах кремнезема

Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Курдюков, Д. А. Кириленко, В. Г. Голубев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В монодисперсных сферических мезопористых частицах кремнезема (МСМЧК) посредством высокотемпературного отжига из прекурсора Ga$_{2}$O$_{3}$ синтезированы наностержни GaN диаметром от 15 до 40 нм и длиной от 50 до 150 нм. Разработана методика удаления темплата посредством травления частиц МСМЧК/GaN в HF, позволяющая получать индивидуальные наностержни GaN. Обнаружено, что размер наностержней GaN значительно превосходит размеры пор МСМЧК (диаметр $\sim$3 нм, длина $\sim$10 нм). Предложен возможный механизм формирования наностержней GaN и перераспределения вещества внутри композитных частиц МСМЧК/GaN посредством поверхностной диффузии молекул газообразных продуктов реакций в порах и диффузии атомов Ga и N в аморфном кремнеземе.

Ключевые слова: GaN, мезопористый кремнезем, наностержни, темплатный синтез.

Поступила в редакцию: 03.03.2020
Исправленный вариант: 10.03.2020
Принята в печать: 10.03.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49508.9387

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:7, 782–787

Реферативные базы данных:

•