Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Гетероструктура 2D SiC/Si: электронные состояния и адсорбционная способность

С. Ю. Давыдов^a, А. В. Зубов<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Предложена модель гетероструктуры, представляющей собой монослой карбида кремния, сформированный на массивной кремниевой подложке. Рассмотрена задача об адсорбции атомов щелочных металлов и галогенов на атомах углерода и кремния поверхности гетероструктуры 2D SiC/Si. Приведены аналитические оценки перехода заряда и энергии адсорбции.

Ключевые слова: двумерные гексагональные слои, полупроводниковая подложка, плотность состояний, адсорбция.

Поступила в редакцию: 20.01.2020
Исправленный вариант: 20.02.2020
Принята в печать: 20.02.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49507.9350

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:7, 774–781

Реферативные базы данных:

•