XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Особенности когерентной спиновой динамики двумерного электронного газа в режиме холловского ферромагнетика

А. В. Ларионов^a, Э. Степанец-Хуссейн^ab, Л. В. Кулик<sup>ab

a</sup> Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
^b Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", г. Москва

Аннотация: С помощью методики время-разрешенного керровского вращения исследована спин-деполяризованная электронная система на факторе заполнения $\nu$ = 1 в квантовой яме GaAs. При температурах выше 5 K обнаружен переход из нового спин-коррелированного состояния в состояние с низкой спиновой жесткостью, характерной для одночастичной электронной системы. Выделен нелинейный вклад в затухание ларморовских осцилляций, возникающий при низких температурах, когда спин-спиновые корреляции определяют основное состояние двумерной электронной системы. Сделаны оценки параметров флуктуирующего магнитного поля, действующего на отдельные электронные спины.

Ключевые слова: холловский ферромагнетик, спиновая жесткость, керровское вращение, ларморовские осцилляции.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49843.39

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1166–1170

Реферативные базы данных:

•