XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках

Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, А. И. Охапкин, В. М. Данильцев, Е. В. Скороходов

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы особенности формы поверхности эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на канавках шириной в несколько микрометров с вертикальными стенками и аспектным соотношением, близким к единице. Канавки формировались на поверхности пластины GaAs в установке плазмохимического травления, заращивались методом металлоорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении в реакторе.

Ключевые слова: плазмохимическое травление GaAs, узкие канавки, эпитаксия GaAs в канавках.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49839.33

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1147–1149

Реферативные базы данных:

•