Эта публикация цитируется в 3 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы

А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, М. В. Степихова, С. М. Сергеев, Н. А. Байдакова, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Представлены результаты исследования спектрально-кинетических характеристик фотолюминесценции двумерных фотонных кристаллов, полученных на основе структур c самоформирующимися наноостровками Ge(Si). Рассматривается наблюдаемое в таких структурах увеличение интенсивности сигнала фотолюминесценции наноостровков в спектральном диапазоне 1.1–1.6 мкм в результате взаимодействия с излучательными модами фотонных кристаллов вблизи точки зоны Бриллюэна и влияние такого взаимодействия на вероятность излучательной рекомбинации в наноостровках Ge(Si).

Ключевые слова: наноостровки Ge(Si), фотонные кристаллы, фотолюминесценция, кинетика фотолюминесценции, эффект Парселла.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49960.42

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:10, 1352–1359

Реферативные базы данных:

•