Аннотация:
Представлены результаты исследований морфологии поверхности, электрофизических характеристик и фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных плeнок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (110) и легированных кремнием. Серия исследуемых образцов была выращена при температуре 580$^\circ$С при отношении парциальных давлений мышьяка и галлия в диапазоне от 14 до 80. С помощью анализа спектров фотолюминесценции выращенных образцов интерпретировано поведение атомов кремния в GaAs с учeтом занятия ими узлов Ga или As (т. е. возникновение точечных дефектов Si$_{\mathrm{Ga}}$ и Si$_{\mathrm{As}}$), а также образования вакансий мышьяка и галлия $V_{\mathrm{As}}$ и $V_{\mathrm{Ga}}$. При анализе спектры фотолюминесценции образцов на (110)-ориентированных подложках сравнивались со спектрами фотолюминесценции аналогичных образцов на (100)- и (111)A-ориентированных подложках.
Полный текст:
PDF файл (495 kB)
