Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре
В. В. Привезенцевab,
А. П. Сергеевa,
В. С. Куликаускасc,
Д. А. Киселевd,
А. Ю. Трифоновef,
А. Н. Терещенкоg a Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук, г. Москва
b Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, г. Москва
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики
d Национальный исследовательский технологический университет "Московский институт стали и сплавов", Москва, Россия
e Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
f Научно-исследовательский институт физических проблем, Москва, Зеленоград, Россия
g Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
Аннотация:
Подложки Si, выращенные методом Чохральского (
$n$-тип, ориентация (100)), были подвергнуты двойной имплантации: вначале ионами
$^{64}$Zn
$^{+}$ с дозой 5
$\cdot$ 10
$^{16}$ см
$^{-2}$ и энергией 50 кэВ, а затем ионами
$^{16}$O
$^{+}$ с дозой 2
$\cdot$ 10
$^{17}$ см
$^{-2}$ и энергией 20 кэВ. Во время имплантации температура подложки поддерживалась
$\sim$350
$^\circ$C. После имплантации Si-подложка содержит радиационные дефекты и их кластеры: двойники, дислокации, а также нанокластыры (НК), а, именно, на поверхности и в приповерхностном слое подложки образовались Zn-содержащие НК со средним радиусом 10–50 нм преимущественно из фазы металлического Zn и частично из фазы ZnO. После фотонного отжига до эффективной температуры 700
$^\circ$С, оптимальной для получения фазы ZnO, радиационные дефекты отожглись, а на поверхности образца зафиксированы Zn-содержащие НК, предположительно, состоящие из фазы ZnO и частично из фазы Zn
$_{2}$SiO
$_{4}$ со средним диаметром 50–100 нм.
Ключевые слова:
кремниевая подложка, цинк, кислород, горячая имплантация, наночастицы, ZnO.
Поступила в редакцию: 05.08.2020
Исправленный вариант: 15.08.2020
Принята в печать: 15.08.2020
DOI:
10.21883/FTP.2020.12.50242.9501a