Эта публикация цитируется в
1 статье
Электронные свойства полупроводников
Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура
В. С. Евстигнеевa,
А. В. Чилясовa,
А. Н. Моисеевa,
С. В. Морозовb,
Д. И. Курицынb a Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Исследованы вхождение и активация мышьяка из трис-диметиламиноарсина в слои CdTe, выращенные методом химического осаждения из паров диметилкадмия и диизопропилтеллура на подложках GaAs. Вхождение мышьяка в CdTe зависит от кристаллографической ориентации слоев и увеличивается в ряду (111)B
$\to$(100)
$\to$(310). Концентрация мышьяка в слоях CdTe пропорциональна потоку трис-диметила-миноарсина в степени 1.4 и увеличивается при уменьшении соотношения диизопропилтеллур/диметилкадмий с 1.4 до 0.5. После осаждения слои CdTe:As имели
$p$-тип проводимости с концентрацией мышьяка и дырок 10
$^{17}$–7
$\cdot$10
$^{18}$ и 2.7
$\cdot$10
$^{14}$–4.6
$\cdot$10
$^{15}$ см
$^{-3}$ соответственно, доля электрически активного мышьяка не превышала
$\sim$ 0.3%. После отжига в аргоне (250–450
$^\circ$C) максимальная концентрация дырок и доля электрически активного мышьяка составили 1
$\cdot$10
$^{17}$ см
$^{-3}$ и
$\sim$ 4.5% соответственно. Энергия ионизации мышьяка, определенная из температурной зависимости концентрации дырок, лежит в интервале 98–124 мэВ. В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции слоев проявляется пик с энергией
$\sim$ 1.51 эВ, который отнесен к донорно-акцепторной рекомбинации, где акцептором является As
$_{\mathrm{Te}}$ с энергией ионизации
$\sim$ 90 мэВ.
Ключевые слова:
теллурид кадмия, химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений, вторично-ионная масс-спектрометрия, активация мышьяка, отжиг.
Поступила в редакцию: 31.08.2020
Исправленный вариант: 09.09.2020
Принята в печать: 09.09.2020
DOI:
10.21883/FTP.2021.01.50377.9514
Полный текст:
PDF файл (165 kB)
