XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом

Ю. А. Данилов^a, А. В. Алафердов^ab, О. В. Вихрова^a, Д. А. Здоровейщев^a, В. А. Ковальский^c, Р. Н. Крюков^a, Ю. М. Кузнецов^a, В. П. Лесников^a, А. В. Нежданов^a, М. Н. Дроздов<sup>d

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Center for Semiconductor Components and Nanotechnologies, University of Campinas, 13083-870 Campinas, SP, Brazil
^c Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
^d Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы возможности легирования углеродных слоев, выращиваемых методом импульсного лазерного нанесения, примесями переходных металлов. Изучены состав, оптические и электрические параметры структур на подложках GaAs и Si/SiO$_{2}$. Показано, что введение таких атомов, как Fe, модифицирует магнитные свойства слоев, вызывая нелинейные магнитополевые зависимости эффекта Холла при температурах вплоть до 300 K.

Ключевые слова: импульсное лазерное нанесение, углеродные слои, легирование, примеси переходных металлов.

Поступила в редакцию: 09.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021

DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51128.04

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2021, 55:8, 660–666

Реферативные базы данных:

•