RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 12, страницы 2178–2182 (Mi phts497)

Нестационарный режим плавления и рекристаллизации при комбинированном лазерном воздействии на полупроводники

В. Н. Абакумов, В. Н. Гуман, В. С. Юферев


Аннотация: В рамках тепловой модели решена нестационарная задача о фазовых превращениях полупроводникового материала при комбинированном лазерном воздействии. Получены аналитические оценки времени установления стационарного режима плавления и минимальных значений плотности энергии затравочного и интенсивности подсвечивающего импульсов. Указанные оценки хорошо согласуются с результатами численного интегрирования соответствующей задачи Стефана.



© МИАН, 2026