Исследование природы акцепторных примесей в нелегированных эпитаксиальных слоях GaAs, полученных МОС гидридным методом

А. Д. Зорин, Е. Н. Каратаев, А. Г. Машевский, М. А. Синицын, О. М. Федорова


Аннотация: Исследование эффекта Холла и спектров фотолюминесценции специально нелегированных эпитаксиальных слоев GaAs, полученных в системе Ga(CH$_{3}$)$_{3}{-}$AsH$_{3}{-}$H$_{2}$, позволило установить, что основными акцепторными примесями в слоях являются Zn, Mg и С. При этом в образцах, полученных при температурах ниже ${850\div950}$ K, преобладают Zn и Mg, а при температурах выше 950 K и малом отношении As/Ga основным акцептором становится С. При фиксированной величине As/Ga соотношение между концентрацией этих акцепторов и остаточными донорами определяет тип проводимости и температуру конверсии типа проводимости. В оптимальных условиях получены ЭС с холловской подвижностью электронов ${7\cdot10^{3}}$ и ${6.2\cdot10^{4}\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$ при 300 и 77 K соответственно и концентрацией носителей заряда ниже $10^{15}\,\text{см}^{-3}$.