Краткие сообщения

Сильнополевое заполнение глубоких уровней в гетероструктурных полевых транзисторах с модулированным легированием (AlGaAs/GaAs)

С. В. Мальцев, В. Я. Принц

Институт физики полупроводников СО АН СССР, г. Новосибирск

Поступила в редакцию: 21.04.1992
Принята в печать: 01.06.1992