Образование и отжиг радиационных дефектов в пленках $p$-Pb$_{0.76}$Sn$_{0.24}$Te при протонном облучении

Д. М. Фреик, Я. П. Салий, М. А. Рувинский, И. Я. Горичок, А. Д. Фреик, А. М. Добровольская

Ивано-Франковский государственный педагогический институт им. В. С. Стефаника

Аннотация: Приведены результаты исследования протонного облучения и изохронного отжига пленок $p$-Pb$_{0.76}$Sn$_{0.24}$Te. Из экспериментальных данных определен параметр процесса отжига — энергия активации ${E_{a}=0.34}$ эВ. Показано, что процесс отжига подчиняется кинетике первого порядка. Сделано предположение, что при облучении френкелевские пары, частично рекомбинировав, образуют комплексы дефектов, которые при отжиге диссоциируют, а составляющие дефектов мигрируют до момента их аннигиляции.

Поступила в редакцию: 19.03.1992
Принята в печать: 26.06.1992