Воздействие света на процесс имплантации ионов P$^{+}$ в Si

В. В. Артамонов, М. Я. Валах, А. В. Денисов, В. Н. Мордкович, Б. Д. Нечипорук

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света изучено влияние подсветки в процессе имплантации в Si ионов Р$^{+}$ на разупорядочение структуры Si. Установлено, что подсветка приводит к увеличению размеров микрокристаллитов и объемного содержания кристаллической фазы в имплантируемом слое по сравнению с имплантацией без подсветки, а в аморфной фазе — к уменьшению величины отклонения углов связей ($\Delta \theta$) от идеальной тетраэдрической координации.

Поступила в редакцию: 28.05.1992
Принята в печать: 08.06.1992