Реконструкция глубинной структуры микротрещин в кремнии с помощью метода томографии наведенного тока в растровом электронном микроскопе

В. В. Выборнов^a, И. Е. Бондаренко^b, С. К. Лихарев, В. П. Трифоненков<sup>c

a</sup> Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
^c Московский инженерно-физический институт

Аннотация: В работе уточняется модель расчета сигнала наведенного тока (НТ), используемая в предложенном ранее методе НТ томографии полупроводниковых объектов, основанном на компьютерной обработке массива НТ изображений, получаемых при различных энергиях электронов зонда растрового электронного микроскопа (РЭМ). Обсуждаются детали тестирования этого метода на реальных полупроводниковых структурах. Рассматриваются результаты практической реконструкции глубинного строения микротрещин в пластинах кремния. Реконструированные сечения качественно совпадают с предсказанными.

Поступила в редакцию: 28.05.1992
Принята в печать: 08.06.1992