Рассеяние электронов в многобарьерных структурах GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

С. Н. Гриняев, В. Н. Чернышов

Сибирский физико-технический институт им. акад. В. Д. Кузнецова при Томском государственном университете

Аннотация: Рассмотрена задача о прохождении электронов через многослойные полупроводниковые структуры. Для вычисления коэффициентов прохождения $P(E)$ на основе метода матрицы рассеяния получены удобные для численных расчетов рекуррентные соотношения. С использованием метода модельного псевдопотенциала проведен расчет $P(E)$ для двухбарьерных структур GaAs/AlAs и GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As при нормальном к гетерограницам падении электронов для энергий выше $E_{c}$ GaAs на величину до 1 эВ. Проведен анализ особенностей в $P(E)$. Изучены границы применимости часто используемого для расчета $P(E)$ приближения эффективной массы. Показано, что для описания туннелирования электронов в GaAs/AlAs при ${E>E^{c}_{X_{1}}}$ (AlAs) необходимо, кроме $\Gamma^{c}_{1}$-состояний, учитывать $X^{c}_{1}$- и $X^{c}_{3}$-состояния.

Поступила в редакцию: 03.03.1992
Принята в печать: 21.05.1992