Эффект дальнодействия в монокристаллах GaAs с различной плотностью дислокаций

В. П. Кладько, Т. Г. Крыштаб, А. В. Свительский, Г. Н. Семёнова

Институт полупроводников АН УССР

Аннотация: Исследовано влияние механической обработки (шлифовки) нерабочей стороны монокристаллических пластин GaAs, легированного теллуром (${n\sim2\cdot10^{18}}\,\text{см}^{-3}$), на величину деформаций и спектры фотолюминесценции на рабочей поверхности в зависимости от плотности ростовых дислокаций $N_{D}$. Показано, что шлифовка приводит к уменьшению интенсивности краевой полосы излучения $I_{e}$ для пластин с ячеистой дислокационной структурой и увеличению ее интенсивности для бездислокационного материала. Указанная обработка приводила к противоположному поведению примесно-дефектной полосы с энергией максимума излучения ${h\nu^{}_{m}=1.24\div1.26}$ эВ (80 K), обусловленного излучательными переходами в комплексах собственный дефект$-$примесь, т. е. к ее возгоранию для дислокационных образцов при практически неизменном ее состоянии в бездислокационном GaAs. Данное отличие поведения спектров фотолюминесценции авторы связывают с доминирующей ролью исходной дефектной структуры пластин GaAs.

Поступила в редакцию: 24.03.1992
Принята в печать: 27.05.1992