RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 11, страницы 1920–1927 (Mi phts4849)

Кристаллографическая ориентация и примесное свечение стримерных разрядов в монокристаллах ZnS и ZnSe

В. П. Грибковский, А. А. Гладыщук, А. Л. Гурский, Е. В. Луценко, Н. К. Морозова, Т. С. Шульга, Г. П. Яблонский

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск

Аннотация: Исследованы кристаллографическая ориентация стримерных разрядов в монокристаллах ZnS и ZnSe различной степени гексагональности и ее связь со структурой и параметрами решетки. Показано, что в кристаллах со степенью гексагональности более 7 % звезда стримеров приобретает гексагональную симметрию, как в кристаллах сульфида кадмия. Изменения параметров решетки в третьем знаке, вызванные легированием или изменением температуры, вызывают поворот направлений разрядов на углы до десятков градусов. В чисто кубических кристаллах разряды в объеме не наблюдаются. Спектры стримерного свечения монокристаллов ZnS$\langle\text{O}\rangle$ и ZnS$\langle\text{Cu}\rangle$ в примесной области имеют общий с фотолюминесценцией механизм рекомбинации, скорее всего, донорно-акцепторный. Уровень возбуждения в каналах разряда соответствует величине 5 МВт/см$^{2}$ однофотонной оптической накачки и достаточен для появления стимулированного излучения.

Поступила в редакцию: 12.02.1992
Принята в печать: 27.05.1992



© МИАН, 2026