RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 11, страницы 1914–1919 (Mi phts4848)

Влияние редкоземельных элементов на энтальпию и энтропию ионизации радиационных дефектов в германии, легированном фосфором

О. М. Алимов, В. В. Петров, Т. Д. Харченко, В. Ю. Явид

Белорусский государственный университет им. В. И. Ленина

Аннотация: Из анализа процессов радиационного дефектообразования в кристаллах германия, легированных фосфором в присутствии редкоземельного элемента неодима и без него, показано, что наличие неодима в $n$-Ge приводит к изменению энтальпии и энтропии ионизации основного радиационного дефекта — комплекса с уровнем, расположенным вблизи $E_{c}-0.20$ эВ. Установлено, что изменение энтальпии на 0.03$-$0.04 эВ, а также более чем шестикратное возрастание энтропии ионизации данного комплекса в образцах с Nd связаны с локальной деформацией решетки вокруг образующихся в процессе облучения дефектов.

Поступила в редакцию: 23.01.1991
Принята в печать: 27.05.1992



© МИАН, 2026