Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой

И. А. Карпович, В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Н. В. Байдусь, Л. М. Батукова, Б. Н. Звонков, С. М. Планкина

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Методами фотолюминесценции и конденсаторной фотоэдс исследованы особенности фотоэлектронных явлений в слоях GaAs с квантовой ямой InGaAs, встроенной на поверхности, в области пространственного заряда и в квазинейтральном объеме. Вынос ямы на поверхность приводит к сильному гашению фотолюминесценции в яме, но слабо влияет на конденсаторную фотоэдс. Показано, что метод конденсаторной фотоэдс применим для диагностики квантовых ям в сильно дефектных структурах. Явление конденсаторной фотоэдс связывается с эмиссией электронно-дырочных пар из квантовой ямы и их последующим разделением на ближайших барьерах. В слоях с квантовыми ямами в области пространственного заряда отсутствует активационная зависимость конденсаторной фотоэдс от температуры, характерная для слоев с квантовыми ямами в объеме, что объяснено туннельным механизмом эмиссии электронов и дырок из квантовых ям.

Поступила в редакцию: 06.05.1992
Принята в печать: 07.05.1992