Неравновесное распределение дефектов по энергиям колебаний при многофононной рекомбинации

И. Н. Яссиевич, В. М. Чистяков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом численного моделирования найдено неравновесное распределение дефектов по энергиям колебаний, устанавливающееся в стационарных условиях за счет многофононной рекомбинации электронно-дырочных пар. При этом предполагается, что концентрация неравновесных носителей контролируется внешним источником возбуждения и рекомбинационными процессами (включая в себя излучательные и оже-процессы). Показано, что в полупроводнике $n$-типа при увеличении концентрации неравновесных дырок экспоненциально нарастает “хвост” функции распределения, что в эксперименте может проявиться как уменьшение энергии активации при рекомбинационно-стимулированном отжиге дефектов.

Поступила в редакцию: 29.04.1992
Принята в печать: 07.05.1992