Прыжковая проводимость ионно-имплантированного серой кремния

В. А. Кульбачинский^a, В. Г. Кытин^b, В. В. Абрамов^a, А. Б. Тимофеев^a, А. Г. Ульяшин^a, Н. В. Шлопак<sup>a

a</sup> Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^b Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Исследованы сопротивление в интервале температур ${0.5<T<300}$ K и магнитосопротивление при ${1.3\leqslant T\leqslant 4.2}$ K, ионно-имплантированных серой с энергией 75 кэВ пленок кремния в зависимости от дозы $D$ имплантированной серы от $10^{15}$ до ${5\cdot 10^{15}\,\text{см}^{-2}}$ и энергии $W$ лазерного отжига от 2.0 до 2.6 Дж/см$^{2}$ . Обнаружена прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка с зависимостью сопротивления от температуры ${R=R_{0}\exp [(T_{0}/T)]^{1/4}}$ и магнитосопротивлением ${R(H)=R_{0}\exp (\alpha H^{2}}$). Получены зависимости $T_{0}$ и $\alpha$ от W и D.

Поступила в редакцию: 21.04.1992
Принята в печать: 07.05.1992