Инжекционно-контактные явления в гетероструктуре на основе неупорядоченного селенида цинка

А. П. Беляев, В. П. Рубец, Х. А. Тошходжаев, И. П. Калинкин

Ленинградский технологический институт им. Ленсовета

Аннотация: Сообщается о результатах исследования электрических и оптических свойств гетероструктур In$_{2}$O$_{3}{-}$ZnSe$-$In и In$_{2}$O$_{3}{-}$ZnSe$-$CdTe$-$In. Приводятся вольт-амперные характеристики, спектры поглощения и фотолюминесценции. Показано влияние отжига на электрофизические свойства указанных гетероструктур.
Показано, что: проводимость гетероструктуры In$_{2}$O$_{3}{-}$ZnSe$-$In на основе субмикронного слоя селенида цинка определяется приграничной с катодом концентрацией носителей, собственных или инжектированных, на краю подвижности полупроводника ZnSe; отжиг гетероструктуры способствует формированию неоднородного потенциального рельефа зон ZnSe; изменения потенциального рельефа зон, происходящие при отжиге, носят не только количественный, но и качественный характер.

Поступила в редакцию: 12.02.1992
Принята в печать: 24.04.1992