Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd${-}p{-}p^{+}$-InP и изменение их в атмосфере водорода

Г. Г. Ковалевская, М. Мередов, Е. В. Руссу, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, В. М. Фетисова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: На созданных диодных структурах Pd${-}p{-}p^{+}$-InP напылением в вакууме Pd на слои $p$-InP, полученные газовой эпитаксией, исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики и спектральная фоточувствительность. Установлено влияние глубоких центров захвата дырок большой плотности ${N_{t}\geqslant 10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ на электрические параметры диодов. Показано, что механизмы токопрохождения определяются двойной инжекцией в диффузионном приближении в $p$-слой. Установлено изменение темнового тока и фотоэдс в атмосфере водорода, достигающего соответственно 1.5 порядка и 100%. Показано, что это влияние водорода не связано с изменением работы выхода Pd, а определяется изменением свойств границ раздела Pd$-$промежуточный слой$-$InP (образованием дипольного слоя), наличием центров захвата дырок, что приводит к изменению дырочной и электронной темновой и световой компонент тока. Полученные результаты представляют практический интерес для создания датчиков водородосодержащих газов.

Поступила в редакцию: 28.12.1991
Принята в печать: 24.04.1992