RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10, страницы 1681–1687 (Mi phts4812)

Позитроний в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами

Е. П. Прокопьев

Научно-исследовательский институт материаловедения, г. Зеленоград

Аннотация: На волновой функции Ал. Эфроса (ФТП. 1986. Т. 20. В. 7. С. 1281) экситонного состояния позитрония Ps рассчитаны его аннигиляционные характеристики в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами, имеющие ярко выраженные аномалии. Показано, что в случае “кремниевой” квантовой ямы вклад собственной аннигиляции пара-Ps в общий процесс аннигиляции составляет ${\sim6.5}$% (случай ${d\ll a}$, где $d$ — ширина квантовой ямы, $a$ — боровский радиус Ps). Именно такого типа состояния пара-Ps могут наблюдаться в прецизионных экспериментах при температуре жидкого гелия.

Поступила в редакцию: 25.10.1991
Принята в печать: 20.03.1991



© МИАН, 2026