Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур, полученных структурным переходом Au$-p$-InP$\to$Au$-n$-In$_{2}$O$_{3}{-}p$-InP

М. Мередов, Г. Г. Ковалевская, Е. В. Руссу, С. В. Слободчиков


Аннотация: В результате длительной выдержки на воздухе диодов Шоттки Au$-p$-InP выявлен структурный переход Au$-p$-InP$\to$Au$-n$-In$_{2}$О$_{3}{-}p$-InР. Исследования вольт-амперных характеристик этой гетероструктуры показали, что механизм токопрохождения определяется туннелированием носителей тока через ловушечные состояния. Фотоответ гетероструктур аналитически можно представить ${I_{\text{фо}}=(h\nu-E_{m})^{m}}$, где ${E_{m}=(1.4\div1.6)}$ эВ, а ${m=3}$ и определяется внутренней фотоэмиссией из $p$-IпР в $n$-In$_{2}$O$_{3}$.

Поступила в редакцию: 10.12.1991
Принята в печать: 19.03.1992