Влияние структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в $a$-Si :H и $a$-Si$_{1-x}$N$_{x}$ : H

А. А. Айвазов, Б. Г. Будагян, М. Н. Мейтин, О. Н. Становов

Московский институт электронной техники

Аннотация: Проведены исследования влияния структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в пленках $a$-Si :H и $a$-Si$_{1-x}$N$_{x}$ : H. Измерены температурные зависимости темновой проводимости образцов, полученных с различными скоростями охлаждения, и построены кривые релаксации. Определены параметры релаксационной кинетики ($\tau$, $\tau_{0}$, $E_{\tau}$) для пленок $a$-Si :H и $a$-Si$_{1-x}$N$_{x}$ : H. Показано, что микроструктурная неоднородность пленок оказывает существенное влияние на проводимость и релаксационные процессы. Увеличение содержания азота оказывает стабилизирующее воздействие на структуру материала и замедляет процессы релаксации в нем.

Поступила в редакцию: 03.02.1992
Принята в печать: 13.03.1992