Полевая и ударная ионизация глубоких энергетических уровней в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием

А. А. Кальфа, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер

Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.

Аннотация: Исследовано влияние полевой и ударной ионизации глубоких энергетических уровней на форму вольт-амперных характеристик гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием. Показано, что ударная ионизация проявляется даже при относительно малой поверхностной плотности уровней и может приводить к аномальной зависимости вольт-амперной характеристики транзистора от напряжения на затворе. Ударная ионизация глубоких уровней преобладает в истоковой части канала, в то время как в области статического домена преобладает ионизация полем затвора, а ионизация продольным электрическим полем несущественна.

Поступила в редакцию: 11.03.1992
Принята в печать: 12.03.1992