Отрицательное продольное магнитосопротивление $\delta$-легированных слоев GaAs

М. В. Буданцев, З. Д. Квон, А. Г. Погосов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Экспериментально исследовано продольное отрицательное магнитосопротивление (ПОМС) в $\delta$-легированных GaAs. Сравнение экспериментальных результатов с имеющимися теориями показало, что ПОМС в этих структурах объясняется теорией слабой локализации, учитывающей межподзонные переходы в продольном магнитном поле.

Поступила в редакцию: 26.02.1992
Принята в печать: 04.03.1992