ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в $6H$-SiC

Т. Л. Петренко, В. В. Тесленко, Е. Н. Мохов

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Впервые зарегистрирован спектр двойного электронно-ядерного резонанса (ДЭЯР) в карбиде кремния, легированном бором. Определены константы сверхтонкого и квадрупольного взаимодействия для примесного центра бора с аксиальной симметрией $g$-тензора. В предположении, что основным является невырожденное $A$-состояние, в рамках метода МО ЛКАО проанализировано квадрупольное взаимодействие с ядром ${}^{11}$B. Предложена модель примесного центра бора в виде $\pi$-электронного радикала BC$_{3}$ пленарной конфигурации. Показано, что такая модель позволяет качественно объяснить особенности сверхтонкого взаимодействия с ядром ${}^{11}$B.

Поступила в редакцию: 10.02.1992
Принята в печать: 02.03.1992