Угол связи Si$-$O$-$Si в монокристалле кремния

В. И. Сорока, М. В. Арцимович, И. Ф. Могильник

Институт ядерных исследований НАН Украины

Аннотация: Метод резонансного обратного рассеяния и каналирования использован для исследования кристаллов кремния, легированного кислородом. Уточнено местоположение кислорода в решетке кремния, что позволило определить угол связи Si$-$О$-$Si равным $163^{\circ}$.

Поступила в редакцию: 12.11.1991
Принята в печать: 13.02.1992