О природе эффекта псевдолегирования в $a$-Si : H

В. А. Лигачёв, В. А. Филиков

Московский энергетический институт

Аннотация: С использованием введенных ранее представлений о режимах конденсации различных SiH$_{q}$-комплексов (${q=0}$, 1, 2, 3) рассматривается новый вариант одной из гипотез о природе эффекта псевдолегирования. Приведены полученные различными методами результаты экспериментальных исследований характеристик спектра плотности состояний в диапазоне от уровня Ферми до (приблизительно) середины валентной зоны. С помощью соотношений “диэлектрической теории” полупроводника определено (вызванное варьированием условий приготовления) изменение среднего значения первого координационного числа атомов кремния в пленках $a$-Si : Н, полученных ВЧ распылением. На основе модели свободного газа валентных электронов оценено ожидаемое смещение положения уровня Ферми при псевдолегировании. Показано, что экспериментальные данные удовлетворительно согласуются с рассматриваемым вариантом гипотезы.

Поступила в редакцию: 04.01.1992
Принята в печать: 11.02.1992