Неустойчивости тока в фотосопротивлении на основе кремния, легированного селеном

И. Б. Чистохин, Е. Г. Тишковский, Н. Н. Герасименко

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В фотосопротивлении на основе кремния, легированного селеном, при температуре жидкого азота в присутствии примесной подсветки в сравнительно узком диапазоне напряжений 22.7$-$24.7 В были обнаружены самогенерирующиеся и затем самоподдерживающиеся периодические колебания (интервал частот 4$-$100 Гц) тока в нагрузке при статических внешних условиях. Амплитуда колебаний достигала 0.3 стационарного значения тока.
Зависимости частоты наблюдаемых колебаний от уровня подсветки при различных приложенных напряжениях хорошо согласуются с представлением о режиме волн пространственной перезарядки глубоких уровней.
Наблюдался также эффект “фазовой памяти”, при котором осцилляции, прекращающиеся при выключении подсветки, при повторном включении возобновляются с той же фазы, что была в момент выключения. С ростом напряжения или интенсивности подсветки колебания последовательно переходили через стадии удвоения периода в хаотические осцилляции.
Нелинейности вольт-амперной характеристики обусловлены разогревом носителей, а возникновение наблюдаемой неустойчивости связывается с ударной ионизацией возбужденного состояния уровня $E_{c}-$0.29 эВ, поддерживающей в статическом режиме волны пространственной перезарядки. Результаты рассмотрены с точки зрения устойчивости нелинейных систем к малым возмущениям динамических переменных.

Поступила в редакцию: 27.07.1991
Принята в печать: 28.12.1991