Электронный $g$-фактор в квантовых ямах и сверхрешетках

Е. Л. Ивченко, А. А. Киселев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Рассчитан $g$-фактор электрона в структуре с одиночной квантовой ямой и в сверхрешетке. Расчет проводился как в однозонном приближении, так и в модели Кейна, в которой точно учитывается kp-смешивание состояний $c\Gamma_{6}$, $\nu\Gamma_{8}$, $\nu\Gamma_{7}$. Найдена зависимость $g$-фактора от толщины слоев гетероструктуры. Показано, что за счет эффектов размерного квантования $g$-фактор электрона в зоне проводимости становится анизотропным. В структуре GaAs/AlGaAs при изменении толщины слоев продольная ($g_{\parallel}$) и поперечная ($g_{\perp}$) компоненты $g$-фактора проходят через нуль, так что существует диапазон толщин, в которых $g_{\parallel}$ и $g_{\perp}$ имеют противоположные знаки.

Поступила в редакцию: 27.02.1992
Принята в печать: 12.03.1992