RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 8, страницы 1427–1432 (Mi phts4768)

О корреляционном механизме двухуровневой рекомбинации в $\gamma$, $e$-облученном кремнии

С. М. Дикман

Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, г. Черноголовка, Моск. обл.

Аннотация: Предложена феноменологическая теория корреляционного механизма рекомбинации. В отличие от модели Шокли-Рида рекомбинационный центр рассмотрен в виде двухуровневой системы, в которой положение нижнего дырочного уровня зависит от заселенности верхнего электронного. Этот механизм позволяет объяснить большое сечение захвата дырок $A$-центром (радиационный дефект с уровнем $E_{c}{-}0.17$ эВ) в процессе многофононной рекомбинации носителей заряда. Получает объяснение также наличие в спектре люминесценции узкой линии, отвечающей внутреннему переходу на $A$-центре между двумя связанными состояниями.

Поступила в редакцию: 25.10.1991
Принята в печать: 04.03.1992



© МИАН, 2026