Влияние сульфидирования на состояние поверхности и фотоэлектрические свойства InP и GaAs

Б. И. Бедный, Н. В. Байдусь, Т. В. Белич, И. А. Карпович

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Методами фотоэдс, фотопроводимости и эффекта поля установлено, что сульфидирование поверхности эпитаксиальных пленок InP и GaAs приводит к увеличению начального изгиба зон и уменьшению дрейфовой подвижности носителей заряда и времени релаксации поверхностного барьера. С уменьшением инерционности поверхностного барьера связано увеличение фоточувствительности пленок при модулированном освещении. Эффект сульфидирования в значительной мере обусловлен удалением оксидного слоя и сохраняется при длительном (несколько недель) хранении пленок на воздухе.

Поступила в редакцию: 28.11.1991
Принята в печать: 11.02.1992