RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 11, страницы 2106–2108 (Mi phts476)

Краткие сообщения

Уточнение метода постоянного фототока для определения плотности локализованных состояний в $a$-Si : H

Е. И. Теруков, Г. Мелл, О. И. Коньков, А. А. Андреев




© МИАН, 2026