Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизолирующему GaAs

И. А. Карпович, С. М. Планкина

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Описан простой высокочувствительный фотоэлектрический метод определения коэффициента примесного оптического поглощения в полуизоляторах, основанный на измерении нормированной спектральной зависимости поперечной фотопроводимости образца при дополнительной подсветке. Показана возможность определения этим методом не только фотоактивной, но также и нефотоактивной части коэффициента поглощения. Метод апробирован на полуизолирующем GaAs.

Поступила в редакцию: 28.11.1991
Принята в печать: 13.03.1992