Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа

А. А. Захарова, В. И. Рыжий

Физико-технологический институт РАН, г. Москва

Аннотация: Исследованы характеристики гетероструктур на основе соединений InAs, GaSb, AlSb или их твердых растворов. С использованием многозонного приближения метода эффективной массы найдены выражения для коэффициентов прохождения квазичастиц (электрона или легкой дырки) при их туннелировании в таких структурах. Рассмотрен случай нормального падения электрона или легкой дырки на гетерограницу, когда состояния тяжелой дырки не участвуют в процессе туннелирования. Показано, что эффекты превращения квазичастиц на гетерограницах играют существенную роль в функционировании приборов на основе рассматриваемых материалов.

Поступила в редакцию: 14.05.1991
Принята в печать: 21.08.1991