RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 6, страницы 1148–1150 (Mi phts4728)

Краткие сообщения

Эффект дальнодействия в полуизолирующих полупроводниках GaAs и InP при облучении ионами аргона

П. В. Павлов, Е. С. Демидов, В. В. Карзанов

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Поступила в редакцию: 22.01.1991
Принята в печать: 11.02.1992



© МИАН, 2026