RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1992
, том 26,
выпуск 6,
страницы
1148–1150
(Mi phts4728)
Краткие сообщения
Эффект дальнодействия в полуизолирующих полупроводниках GaAs и InP при облучении ионами аргона
П. В. Павлов
,
Е. С. Демидов
,
В. В. Карзанов
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Поступила в редакцию:
22.01.1991
Принята в печать:
11.02.1992
Полный текст:
PDF файл (331 kB)
©
МИАН
, 2026