Влияние температуры отжига имплантированного хлором кремния на образование электрически активных комплексов

Н. М. Омельяновская, Л. Я. Краснобаев

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Аннотация: Исследовано влияние температуры отжига на электрофизические свойства $n$- и $p$-типа кремния, имплантированного хлором с энергией 200 кэВ и дозами ${1\cdot 10^{13}}$ и ${1\cdot 10^{15}\,\text{см}^{-2}}$. Измерения профиля распределения носителей заряда и слоевого сопротивления структур после отжига при ${T=350{-}1000^{\circ}}$C показали, что хлор образует с радиационными дефектами электрически активные комплексы, которые в зависимости от температуры обработки могут быть как донорного, так и акцепторного типа.

Поступила в редакцию: 12.11.1991
Принята в печать: 13.02.1992