Определение сечения фотоионизации легирующих примесей в полупроводниках из измерений эффекта Холла

А. С. Веденеев, А. Г. Ждан, В. В. Рыльков, А. Г. Шафран

Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязинское отделение

Аннотация: Определено сечение фотоионизации примесей Ga в Si $\langle\text{Ga}\rangle$ исходя из измерений фото-холл-эффекта. Развитый метод не чувствителен к выбору толщины образца, качеству освещаемой поверхности и флуктуациям активности возбуждающего излучения.

Поступила в редакцию: 10.12.1991
Принята в печать: 30.01.1992