RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 6, страницы 1069–1087 (Mi phts4714)

Влияние нарушения стехиометрии на экситонные, электронные и колебательные состояния в дифосфиде цинка

Н. Н. Сырбу

Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо

Аннотация: Исследованы экситонные спектры отражения и поглощения при 77 и 2 K различных типов кристаллов при различных ориентациях вектора поляризации E и волнового вектора к излучения относительно главных осей кристалла. Показано, что экситонный диполь в кристаллах разных типов ориентирован по-разному. Исследована форма экситонных линий отражения и $\lambda$-модулированного отражения и показано, что изменяется механизм экситон-фононного взаимодействия в кристаллах моноклинного и “ромбического” типа. Исследования спектров отражения в области собственных межзонных переходов (до 6 эВ) в поляризациях ${E\parallelc}$ и ${E\perpc}$ четырех типов кристаллов показали, что изменение стехиометрии состава приводит к изменению практически всех межзонных энергетических интервалов. Обнаружены исчезновение двух собственных колебательных мод и ослабление двухфононного поглощения в результате изменения стехиометрии. Исследованные разновидности кристаллов являются политипами черного ZnP$_{2}$.

Поступила в редакцию: 14.01.1992
Принята в печать: 21.01.1992



© МИАН, 2026