Влияние избыточного давления паров компонентов на ансамбль точечных дефектов в кристаллах CdS

И. В. Крюкова, В. А. Теплицкий, Е. П. Шульга, Б. Р. Джумаев, Н. Е. Корсунская

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследованы электрические, фотоэлектрические и люминесцентные характеристики кристаллов CdS, выращенных при регулируемом избыточном давлении паров S и Cd. Установлена зависимость суммарной концентрации доноров, суммарной концентрации акцепторов, а также концентрации междоузельного кадмия от давления паров компонентов. Идентифицированы дефекты, концентрация которых изменяется при изменении давления паров S и Cd.

Поступила в редакцию: 10.12.1991
Принята в печать: 16.01.1992