RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 6, страницы 1034–1040 (Mi phts4709)

Локализация и делокализация в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te $\langle\text{In}\rangle$, индуцированные сверхсильным магнитным полем и ИК подсветкой

А. де Виссер, И. И. Иванчик, А. В. Никорич, Д. Р. Хохлов

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Проведены измерения магнитосопротивления и коэффициента Холла в сплавах Pb$_{0.75}$Sn$_{0.25}$ Te $\langle\text{In}\rangle$, находящихся исходно в диэлектрическом состоянии, в сверхсильных магнитных полях до 40 T при температуре ${T=4.2}$ K. При относительно низкой концентрации неравновесных электронов $n$ наблюдается рост магнитосопротивления во времени (локализация). При более высоком уровне фотовозбуждения, напротив, происходит рост $n$ в магнитном поле. Предложена модель, в рамках которой эффект локализации определяется крупномасштабным потенциальным рельефом зон, а делокализация — процессами перетекания электронов с метастабильного примесного уровня в зону проводимости.

Поступила в редакцию: 21.10.1991
Принята в печать: 09.01.1992



© МИАН, 2026