Аннотация:
С использованием метода нелокального псевдопотенциала, сохраняющего норму, проведен самосогласованный расчет из
первых принципов зонной структуры слоистых орторомбических полупроводников TlI. Получена диаграмма дисперсии зон в $k$-пространстве. Идентифицированы оптические переходы в области фундаментального поглощения и отмечена хорошая корреляция с данными спектральных измерений. Анализируются полученные абрисы электронной плотности в различных плоскостях и связь ее распределения с анизотропией макрофизических параметров и свойств. Определено происхождение составляющих валентной зоны.
Поступила в редакцию: 11.07.1991 Принята в печать: 09.01.1992