Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо легированного полупроводника в области пространственного заряда

А. А. Кальфа, В. В. Чикун

Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.

Аннотация: Предложена модель расчета обратной ветви ВАХ на диодах с неоднородным легированием области пространственного заряда в барьере Шоттки. В приближении ВКБ (WKB) найдена величина одномерного уравнения Пуассона. Экспериментально измерена ВАХ GaAs диодов Шоттки с металлизацией Au/Ti, напыляемой на холодную подложку. Получено хорошее совпадение расчетной и экспериментальной ВАХ.

Поступила в редакцию: 04.03.1991
Принята в печать: 26.12.1991