Равновесные параметры глубоких объемных уровней в антимониде индия

О. С. Шемелина, Ю. Ф. Новотоцкий-Власов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Предложен метод определения всех равновесных параметров глубоких объемных уровней (РП ГОУ) — типа уровня, степени вырождения, энергии, концентрации из температурной зависимости удельного сопротивления $\rho(T)$ — и получены критерии необходимой точности экспериментальных измерений для обеспечения однозначной интерпретации результатов. На серии образцов $p$-InSb проведены измерения $\rho(T)$ в диапазоне ${78\div160}$ K в условиях, когда отклонения снимаемых значений температуры $T$ от стационарных не превышают ${\pm0.01}$ K. С привлечением литературных данных по примесному поглощению и примесной фотопроводимости в InSb определены все РП трех доминирующих ГОУ. Эта система ГОУ одинакова для всех исследованных образцов и не зависит от технологии изготовления материала, что позволяет говорить о ее биографическом происхождении.

Поступила в редакцию: 17.07.1991
Принята в печать: 04.12.1991